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- 型号： MT29F1G08ABBEAH4:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F1G08ABBEAH4:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F1G08ABBEAH4:E TR价格参考。Micron Technology IncMT29F1G08ABBEAH4:E TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT29F1G08ABBEAH4:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29F1G08ABBEAH4:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT29F1G08ABBEAH4:E TR 是一款NAND闪存芯片，广泛应用于需要高可靠性和大存储容量的嵌入式系统中。该型号的存储器具有1Gb的容量，采用8位并行接口，适用于对数据存储速度和稳定性有较高要求的场景。 其主要应用场景包括： 1. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机和自动化设备，用于存储程序代码和运行数据。 2. 网络通信设备：如路由器、交换机和通信基站模块，用于保存系统固件和配置信息。 3. 汽车电子系统：包括车载信息娱乐系统（IVI）、车载记录仪和远程信息处理系统，适用于车载环境下对耐久性和稳定性要求高的场合。 4. 消费类电子产品：如数码相机、电子书和便携式游戏机，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。 5. 医疗设备：例如便携式诊断设备和监护仪器，用于可靠地存储关键数据和系统设置。 该芯片支持宽温范围，具备较强的抗干扰能力和较长的擦写寿命，适合在复杂环境中长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 1GBIT VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29F1G08ABBEAH4:E TR |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA（9x11） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 1G（128M x 8） |
| 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | - |
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